桂林電子科技大學信息與通信學院導師：李海鷗

發布時間：2021-11-20 編輯：考研派小莉推薦訪問：

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桂林電子科技大學信息與通信學院導師：李海鷗正文

[導師姓名]
李海鷗

[所屬院校]
桂林電子科技大學

[基本信息]
導師姓名：李海鷗
性別：
人氣指數：5412
所屬院校：桂林電子科技大學
所屬院系：信息與通信學院
職稱：教授
導師類型：碩導/博導
招生專業：電子科學與技術、寬帶通信網絡與技術、集成電路工程（專業學位）
研究領域：微波集成電路設計、新型微波器件、功率器件、微波光子、薄膜器件

[通訊方式]
電子郵件：[email protected]

[個人簡述]
湖南婁底人，工學博士，教授，博士生導師，教育部 “新世紀優秀人才支持計劃”人選、廣西“新世紀十百千人才工程第二層次”人選、廣西“杰出青年基金”獲得者、入選桂林電子科技大學首屆“英才計劃”。1997年7月畢業于湖南大學電氣系，專業電子工程。2003年4月畢業于湖南大學信息與工程學院，專業電工理論與新技術，獲工學碩士學位。2006年5月畢業于中國科學院微電子研究所，專業微電子學與固體電子學，獲工學博士學位。2006.6~2010.12期間在香港科技大學首席教授KeiMay Luo實驗室（PTC）做博士后（第一站）；2011.12-2015.5期間中國電子科技集團58所于宗光首席專家團隊做博士后（第二站）；2014.9-2015.9美國普渡大學Prof.Ye 團隊做訪問學者。2010年12月至今，任教桂林電子科技大學信息與通信學院。近五年主持國家/省部級等項目19項，其中包括國家自然科學基金面上項目兩項、廣西杰出青年自然科學基金1項、教育部新世紀優秀人才項目1項、廣西自然基金（重點）1項等，科研總經費約600多萬。在國內外學術刊物上發表研究論文50多篇，以第一作者或通訊作者發表SCI檢索論文16篇，包括微電子學頂級刊物IEEE Electron Device Letters發表論文3篇。授權國家發明專利8項。出版專著《射頻/微波功率新型器件導論》1部（第二），獲得廣西自然科學二等獎1項（排名第一），中國電子科技集團技術發明二等獎1項（排名第三）。 1、2006年入選“香港內地人才輸入計劃”；2、2013年教育部“新世紀優秀人才支持計劃”入選者；3、2013年廣西“杰出青年基金”獲得者；4、2014年為桂林電子科技大學學術帶頭人；5、2015年廣西第十八批“新世紀十百千人才工程”第二層次人選；6、2017年桂林電子科技大學首屆“英才計劃”人選；7、2018年廣西區優秀專家人選。

[科研工作]
（1）Haiou Li（李海鷗）, Yue Li, Gongli Xiao, Xi Gao, Qi Li, Yonghe Chen, Tao Fu, Tangyou Sun, Fabi Zhang*, and Naisen Yu*, Simple Fabrication ZnO/β-Ga2O3 Core/Shell Nanorod Arrays and Their Photoresponse Properties, Optical Materials Express, 2018, 8(4):794-803（2）Xi Gao, Leena Singh, Wanli Yang, Jingjing Zheng, Haiou Li*（李海鷗） & Weili Zhang, Bandwidth broadening of a linear polarization converter by near-field metasurface coupling, Scientific Reports, 2017, 7(1): 1-8（3）XI GAO, WANLI YANG, WEIPING CAO, MING CHEN, YANNAN JIANG, XINHUA YU, AND HAIOU LI*（李海鷗）, Bandwidth broadening of a graphene-based circular polarization converter by phase compensation, OPTICS EXPRESS, 2017, 25(20): 23945-23954（4）Weihua Kang, Xiaodong Zhang, Xian Ji, Yong Cai, Jiahui Zhou, Wenjun Xu, Qi Li, Gongli Xiao, Baoshun Zhang and Haiou Li*（李海鷗）, Fabrication of 45-nm high In component metamorphic In0.7Ga0.3As/In0.6Ga0.4As composite channel HEMTs on GaAs substrates, Electronics Letters, 2016, 52(4): 318-319（5）Xiao-fengWu，Shi-gang Hu，H.O. Li*（李海鷗）, Jin Li，Zai-fang Xi，Ying-lu Hu, A Kind of Coating Method of GaN-MOCVD Graphite Susceptor，Journal of nanomaterials, 2015, 24(3): 037203-037206（6）WU XiaoFeng，LIU HongXia， H.O. Li*（李海鷗），LI Qi，HU ShiGang，XI ZaiFang， ZHAO Jin, Fabrication of 150-nm Al0.48In0.52As/Ga0.47In0.53As HEMTs on GaAs substrates，SCIENCE CHINA Physics, Mechanics & Astronomy, 2012, 55(12): 2389-2391（7）Ming Li, H.O. Li（李海鷗）, Chak Wah Tang, and Kei May Lau*, S. Lawrence Zipursky*, Fabrication of 100-nm Metermorphic AlInAs/GaInAs HEMTs on Si Substrate by MOCVD,IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2012, 33(4): 498-500（8）HaiOu LI（李海鷗）, HUANG Wei*, LI QiLI SiMin, JIANG Xi, TANG ChakWah, LAU KeiMay, Fabrication of 0.3-μm T-gate Metamorphic AlInAs/GaInAs HEMTs on Silicon Substrates Using Metal Organic Chemical Vapor Deposition, SCIENCE CHINA Physics, Mechanics & Astronomy, 2012, 55(4): 644-648（9）H.O. Li（李海鷗）, Zhihong Feng，C.W. Tang, K.J. Chen, and K.M. Lau*, Fabrication of 150-nm T-Gate Metamorphic AlInAs/ GaInAs HEMTs on GaAs Substrates by MOCVD, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2011, 32(9):1224-1226（10）H.O. Li（李海鷗）, C.W. Tang, K.J. Chen, and K.M. Lau*, Metamorphic AlInAs/GaInAs HEMTs on GaAs substrates by MOCVD, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2008, 29(6):561-564 1. 廣西自然科學基金項目（重點）,常關型GaN功率器件制備和模型研究(2016GXNSFDA380021,2016.09- 2020.082.國家自然科學基金面上項目，61474031，硅襯底上III-V族異質結材料生長機制和HEMT器件制備，2015/01-2018/12，89萬元，在研，主持3.廣西第十八批“新世紀十百千人才工程”第二層次人選，2015年，電子科學與技術4.國家自然科學基金面上項目，61274077，硅基GaN HEMTs 超級結器件及其模型研究，2013/01-2016/12，86萬元，已結題，主持5.中國博士后科學基金委（特別資助）,硅基高遷移率III-V族半導體材料和器件研究（2013T60566）,2013.06-2014.05 6.教育部“新世紀優秀人才支持計劃”獲得者，2013年，電子科學與技術

[教育背景]
1997.7 畢業于湖南大學，電子工程專業，大學；2003.4 畢業于湖南大學，電工理論與新技術，碩士；2006.6 畢業于中科院微電子研究所，微電子學與固體電子學，博士；2006-6-2010.12 香港科技大學，電子與計算機工程系，博士后（第一站）；2011.12-2014.12 中國電子科技集團58所，博士后（第二站）；2014.9-2015.9 美國普渡大學，訪問學者 以上老師的信息來源于學校網站，如有更新或錯誤，請聯系我們進行更新或刪除，聯系方式

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